"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhi14b$4fc$05$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, hier gibt es eine Übersicht und speziell den J310.
Was willst du eigentlich bauen?
Gruß Helmut
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhi14b$4fc$05$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, hier gibt es eine Übersicht und speziell den J310.
Was willst du eigentlich bauen?
Gruß Helmut
Tag Helmut,
ich bin seit einiger Zeit mit Aktivantennen beschäftigt
Gruß Leo
Hallo Helmut,
der BF256A ist in der Schaltung vorne drin, die im Internet steht.
Jetzt arbeite ich an einer Antenne von 120 MHz-2 GHz mit Gallium-Arsenid-Endstufe (CFY30, Siemens). Leider haben diese FETs ein Zin von (137+j2394)Ohm bei 100 MHz, also ziemlich niederohmig am Gate, aber ich spare mir die Endstufe, weil sie auch niederohmig am Ausgang sind (15.7e hoch j95 Grad) Ohm.
Werde wohl den J310 als Pärchen vorschalten, scheint der beste JFet zu sein. Der BF256A hat bei 1 GHz schon -3 dB und die PSpice-Simulation sagt mir, da ist Schluß.
Habe mir gerade das Datenblatt vom J310 heruntergeladen. Jetzt muß erst wieder gerechnet werden.
Gruß Leo
Mir kommen zweifel, ob dieses frequenzbereiches Fets überhaupt sinnvoll sind. Bei der dann "herrschenden" niederohmigkeit wären eher BFT 66 usw besser am platz.
mfg horst-dieter
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhjkjh$vj4$04$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, da hast du dich aber bestimmt total verrechnet. Der CFY30 hat bei 120MHz eher den zehnfachen Wert R und vielleicht deinem angegebenen jX. Den CFY30 kannst du damit gleich an die Antenne hängen.
Wie hast du dein Zin=137+j2394)Ohm Ohm ausgerechnet?
Der J310 ist bestimmt oberhalb 1GHz unbrauchbar.
Gruß Helmut
Hallo Helmut,
das Zin kommt direkt aus den S-Parametern von Siemens, habe ich mehrmals nachgerechnet, der Wert stimmt und hat sich im Versuchsaufbau als richtig erwiesen, geht nicht direkt an der Antenne bei hohen Frequenzen und unterhalb von 400 KHz auch nicht. Außerdem ist damit keine Rauschanpassung möglich. Und bei kleinen Frequenzen rauscht der CFY30 hörbar mehr, das Ding will viel MHz.
Ich benötige einen hochohmigen n-Kanal-J-FET mit kleiner Eingangskapazität, keinen GaAs-Fet der gerne reflektionsmäßig angepaßt sein möchte. Habe gestern noch den 256 mit dem 310 verglichen. Der 256 hat kleinere Kapazitäten.
mfG Leo
offensichtlich ist der GaAs-Fet so niederohmig und will angepaßt werden über ein Netzwerk. Ein BipTrans am Antennenfußpunkt für eine rauschangepaßte Breitbandantenne ? Da kenne ich keine Theorie für ...
mfg Leo
Eine optimale rauschanpassung an den strahler einer aktiven antenne geht wohl nicht. Ist offensichtlich auch nicht das thema. Schau dir mal das kapitel "4.5 Active Antennas" aus "Communications Receivers, Principles & Design" von Ulrich L.Rohde und T.T.N.Bucher an. Erschienen bei McGraw-Hill. Dort werden die probleme recht gut abgehandelt. Und zwar anhand kommerzieller produkte.
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhm4gr$lfm$03$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, ich bin HF-Fachmann, aber jetzt würde mich doch mal interessieren wie du von folgenden S-Parametern auf deinen Zin kommst. Wenn ich die Formel von einem Buch hernehme, gelingt mir das nicht so einen kleinen Zin auszurechnen.
Die Formeln:
s11' = s11 + s12*s21*GL/(1-s22*GL) GL = Reflexionsfaktor der Last
Ze = Z0*(1+s11')/(1-s11') Z0=50Ohm
Ich bin gespannt auf deine Berechnung.
CFY30:
Gruß Helmut
Hallo Helmut,
...und ergibt ganz sicher (137.3-j2394)Ohm... jetzt zum 5. Mal eingetippt in meinen TI-92Plus mit komplexer Arithmetik
mfg Leo
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bho9a9$f48$03$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, ich habe in einer Appnote gesehen, daß deine Formel der Umrechnung der S-Paramter in Z-Parameter entsricht. Deine Formel ist genau Z11 = f(Sxx). Das ist aber nicht Zin denke ich.
Meine Formel habe ich z.B. hier auf seite 9 und an vielen anderen Stellen gesehen.
Gruß Gelmut
Hallo Helmut,
ist Z11 nicht der Widerstand den ich sehe, wenn ich in den 4-Pol vorne hereingucke?
Ich denke, wenn ich Deine Formel umstelle, kommt meine heraus.
mfg Leo
in Deiner Formel ist r der Reflektionsfaktor der Last am Transistors. In meiner Formel wird die Anpassung eingesetzt, die im Versuchsaufbau von Siemens vorhanden war, nämlich 50 Ohm angepaßt am Ausgang, das geht beim CFY30 ganz gut.
mfg Leo
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhofsi$gtr$06$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...
Hallo Leo, schau dir mal hier Seite 392 zum Thema Zin und Z11 an.
Gruß Helmut
PolyTech Forum website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.