Re: n-Kanal-JFET gesucht

"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhi14b$4fc$05$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

mit einer Transitfrequenz von min. 2 GHz. Wer kennt einen? >

Hallo Leo, hier gibt es eine Übersicht und speziell den J310.

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Allerdings von Grenzfrequenz steht da nichts drin sondern nur der Begriff "very high frequency" taucht in der Überschrift auf.

Was willst du eigentlich bauen?

Gruß Helmut

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Helmut Sennewald
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Tag Helmut,

ich bin seit einiger Zeit mit Aktivantennen beschäftigt

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Gruß Leo

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Leo Baumann

Hallo Helmut,

der BF256A ist in der Schaltung vorne drin, die im Internet steht.

Jetzt arbeite ich an einer Antenne von 120 MHz-2 GHz mit Gallium-Arsenid-Endstufe (CFY30, Siemens). Leider haben diese FETs ein Zin von (137+j2394)Ohm bei 100 MHz, also ziemlich niederohmig am Gate, aber ich spare mir die Endstufe, weil sie auch niederohmig am Ausgang sind (15.7e hoch j95 Grad) Ohm.

Werde wohl den J310 als Pärchen vorschalten, scheint der beste JFet zu sein. Der BF256A hat bei 1 GHz schon -3 dB und die PSpice-Simulation sagt mir, da ist Schluß.

Habe mir gerade das Datenblatt vom J310 heruntergeladen. Jetzt muß erst wieder gerechnet werden.

Gruß Leo

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Leo Baumann

Mir kommen zweifel, ob dieses frequenzbereiches Fets überhaupt sinnvoll sind. Bei der dann "herrschenden" niederohmigkeit wären eher BFT 66 usw besser am platz.

mfg horst-dieter

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Horst-D. Winzler

"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhjkjh$vj4$04$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Hallo Leo, da hast du dich aber bestimmt total verrechnet. Der CFY30 hat bei 120MHz eher den zehnfachen Wert R und vielleicht deinem angegebenen jX. Den CFY30 kannst du damit gleich an die Antenne hängen.

Wie hast du dein Zin=137+j2394)Ohm Ohm ausgerechnet?

Der J310 ist bestimmt oberhalb 1GHz unbrauchbar.

Gruß Helmut

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Helmut Sennewald

Hallo Helmut,

das Zin kommt direkt aus den S-Parametern von Siemens, habe ich mehrmals nachgerechnet, der Wert stimmt und hat sich im Versuchsaufbau als richtig erwiesen, geht nicht direkt an der Antenne bei hohen Frequenzen und unterhalb von 400 KHz auch nicht. Außerdem ist damit keine Rauschanpassung möglich. Und bei kleinen Frequenzen rauscht der CFY30 hörbar mehr, das Ding will viel MHz.

Ich benötige einen hochohmigen n-Kanal-J-FET mit kleiner Eingangskapazität, keinen GaAs-Fet der gerne reflektionsmäßig angepaßt sein möchte. Habe gestern noch den 256 mit dem 310 verglichen. Der 256 hat kleinere Kapazitäten.

mfG Leo

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Leo Baumann

offensichtlich ist der GaAs-Fet so niederohmig und will angepaßt werden über ein Netzwerk. Ein BipTrans am Antennenfußpunkt für eine rauschangepaßte Breitbandantenne ? Da kenne ich keine Theorie für ...

mfg Leo

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Leo Baumann

Eine optimale rauschanpassung an den strahler einer aktiven antenne geht wohl nicht. Ist offensichtlich auch nicht das thema. Schau dir mal das kapitel "4.5 Active Antennas" aus "Communications Receivers, Principles & Design" von Ulrich L.Rohde und T.T.N.Bucher an. Erschienen bei McGraw-Hill. Dort werden die probleme recht gut abgehandelt. Und zwar anhand kommerzieller produkte.

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Horst-D. Winzler

"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhm4gr$lfm$03$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Hallo Leo, ich bin HF-Fachmann, aber jetzt würde mich doch mal interessieren wie du von folgenden S-Parametern auf deinen Zin kommst. Wenn ich die Formel von einem Buch hernehme, gelingt mir das nicht so einen kleinen Zin auszurechnen.

Die Formeln:

s11' = s11 + s12*s21*GL/(1-s22*GL) GL = Reflexionsfaktor der Last

Ze = Z0*(1+s11')/(1-s11') Z0=50Ohm

Ich bin gespannt auf deine Berechnung.

CFY30:

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Typical Common Source S-Parameters ID = 15 mA, VD = 3.5 V, Z0 = 50 ? f S11 S21 S12 S22 GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG

0.1 1.00 -1 2.43 178 0.003 87 0.70 - 1 0.4 1.00 -6 2.43 171 0.010 23 0.69 - 5 0.8 0.99 -14 2.43 162 0.020 78 0.68 - 11 1.2 0.98 -21 2.43 154 0.030 72 0.67 - 15

Gruß Helmut

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Helmut Sennewald

Hallo Helmut,

...und ergibt ganz sicher (137.3-j2394)Ohm... jetzt zum 5. Mal eingetippt in meinen TI-92Plus mit komplexer Arithmetik

mfg Leo

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Leo Baumann

"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bho9a9$f48$03$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Hallo Leo, ich habe in einer Appnote gesehen, daß deine Formel der Umrechnung der S-Paramter in Z-Parameter entsricht. Deine Formel ist genau Z11 = f(Sxx). Das ist aber nicht Zin denke ich.

Meine Formel habe ich z.B. hier auf seite 9 und an vielen anderen Stellen gesehen.

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Wo liegt mein/dein Denkfehler?

Gruß Gelmut

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Helmut Sennewald

Hallo Helmut,

ist Z11 nicht der Widerstand den ich sehe, wenn ich in den 4-Pol vorne hereingucke?

Ich denke, wenn ich Deine Formel umstelle, kommt meine heraus.

mfg Leo

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Leo Baumann

in Deiner Formel ist r der Reflektionsfaktor der Last am Transistors. In meiner Formel wird die Anpassung eingesetzt, die im Versuchsaufbau von Siemens vorhanden war, nämlich 50 Ohm angepaßt am Ausgang, das geht beim CFY30 ganz gut.

mfg Leo

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Leo Baumann

"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:bhofsi$gtr$06$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Hallo Leo, schau dir mal hier Seite 392 zum Thema Zin und Z11 an.

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Mein Google-Filter war: sparam input impedance Da gibt es vielleicht noch andere Quellen zum Thema Zin.

Gruß Helmut

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Helmut Sennewald

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