Hi,
Kann es wirklich sein dass es nirgendwo Erklaerungen zu floating gate MOSFETs gibt? Ich bin am Verzweifeln, suche seit etwa 2 Stunden herum und finde nichts ausser oberflaechlicher Erklaerungen.
Was mich aber interessieren wuerde sind Zusammenhaenge zwischen den Spannungen, Kapazitaeten und Ladungen. Das hoechste der Gefuehle unter meinen Suchergebnissen sind diese Zusammenhaenge *ohne* "geladenes" floating gate, aber das ist ja trivial (kapazitiver Spannungsteiler).
Konkret moechte ich wissen WIESO das Potential des Floating gates mit
V_floating = (C1 * VG + QF) / (C1 + C2) ^^^^
bestimmt ist (VG = Spannung am control gate, QF Ladung im floating gate). Wie gesagt, ohne die Ladungen am floating gate ist es trivial.
Und in weiterer Folge wird nun (zu t=0) eine Gatespannung angelegt die gross genug ist dass Elektronen tunneln koennen (Fowler Nordheim). Der Tunnelstrom ist gegeben:
I_tunnel = A E^2 exp(-B/E)
, was mich nun interessiert ist wie sich V_floating in Abhaengigkeit von der Zeit aendert (also V_floating(t)).
Hat irgendjemand Quellen, Literaturtipps, Internetseiten oder auch einfach Antworten auf oben genannte Fragen?
LG, Peter