Durchbruchspannung MOSFET bestimmen

Hallo Udo,

Wird bei dicken MOSFET meist mit 250uA Limit gemessen. Etwas Lesestoff dazu:

Warum bis zum Avalanche messen? Reicht es nicht, bis an die Datenblattgrenze zu testen?

Bitte nicht doppelte Posts machen, sondern Cross Post. Wdhlg aus anderer NG:

Wird bei dicken MOSFET meist mit 250uA Limit gemessen. Etwas Lesestoff dazu:

Warum bis zum Avalanche messen? Reicht es nicht, bis an die Datenblattgrenze zu testen?

Joerg schrieb:

Ja, prima. Genau so eine Spec habe ich gesucht.

Eigentlich schon. Ich finde es auch sehr informativ, wie eng die Grenzen zwischen Spezifikation und Realität liegen. Aber im Grunde hast Du recht.

Danke - Gruss Udo

Hallo Udo,

Das streut ziemlich. FETs benutze ich nicht oft, aber bei BJT habe ich welche gehabt, die mit 300V angegeben waren, aber Avalanche erst ueber

Auch bei Keramik-C haben Leute schon 63V Typen bis ueber 100V getrieben. ohne das etwas passierte. Sollte man natuerlich nie in einem Design tun.

Nochmals meine Bitte: Nicht doppelte Posts, sondern Cross-Post.

Ich würde vermuten nein, weil man bei der Spannungsdifferenz langsam auch niederige Ströme und charge trapping Richtung Gate bekommt. IRF gibt in Applikationnotes für die ESD-Festigkeit des Gates ( das nominell ja nur 20Vmax hat ) glaube ich gemessene 80V an wo dann langsam geringer Strom einsetzt.

MfG JRD

Am Fri, 26 Jan 2007 01:34:40 +0100 schrieb Udo Piechottka :

Bei BUZ71 oder BUZ72 habe ich mal 65V statt 50V und 120V statt 100V gemessen. War dynamisch in einer Sperrschwingerschaltung. Der 50V Typ wurde sehr heiß, da sah ich, daß die Spikes bis 65V gingen -> 100V Transistor genommen, doch leider: Spikes jetzt bis 120V. Transistor wurd immer noch heiß.