drivers de grille hcpl316

Bonjour,

Nous sommes en train de réaliser un onduleur monophasé (pont 100V, 2kW, fdec=30k qui aprés filtrage debite dans un transfo 50Hz elevateur)

Pour commander les MOS du pont, nous utilisons des drivers optoisolés HCPL316J avec detection de desaturation et report par opto. le probléme que nous avons est que dés qu'il y a de la tension et que du courant coimmence a passer (qq ampéres) un ou plusieurs drivers reportent une faute comme si le MOS desaturait... (ce sont des mos 300V, 40A, 43mohm)...il semble que cela se produise de préférence sur le MOS du haut du pont. Ils sont tous drivés en tension sysmétrique +/-15V, avec snubber en // et resistance de grille de

10ohms. ces problémes semblent se produire quand les rapports cycliques se rapprochent des extrémas 0 ou 1.

Nous avons essayés une multitudes de combinaisons de layouts et de valeurs de composnat, une barrette entiére y est passée et ca ne marche toujours pas!! quelqu'un a t'il deja eu une expérience similaire? on va finir par se mettre a boire parceque la on atteints nos limites...

merci.

Reply to
Thierry MARTIRE
Loading thread data ...

je precise, que quand il y a detection de desaturation, ce n'est bien sur pas justifié, nous faisons les mesure avec un scope lecroy et une pince ampéremetrique ad-hoc (90A/ bp de 50MHz), il n'y a aucun pic de tension, ni de courant tant au primaire qu'au secondaire et sur le bus dc non plus...rien...le driver part en live des que nous augmentons la cherge de l'onduleur...

merci

(jai fait un crosspost sur fr.sci.electronique) "Thierry MARTIRE" a écrit dans le message de news:4212602c$0$19436$ snipped-for-privacy@news.wanadoo.fr...

Reply to
Thierry MARTIRE

Ce circuit est fait pour commander des IGBTs, avec les MOS ils peut avoir des difficulées liée a leur vitesse de commutation. Le CMR de 15Kv/µs peut être dépassé. Celà implique de ralentir légérement la vitesse de commuation du MOS en jouant sur la résistance de gate, pour rester en dessous de 15Kv/µs. au delà de cette valeur, le constructeur ne peut plus garantir le fonctionnement des barières optiques. Le symptome de détection du défaut de saturation avec les rapports cycliques extrèmes est peut être tout simplement lié à la constante de temps (0,3 à

3µs) de détection. la fenêtre d'analyse de saturation est retardée par rapport à la commande pour l'aisser le temps à l'IGBT de commuter (et d'absorber également le pic de courant de recouvrement des diodes), ce n'est qu'après ce delais que le circuit vérifie si l'IGBT est saturé ou pas. Pour les impulsions très courtes se système ne peut plus fonctionner. On verra d'ailleurs que dans les drivers de commande des IGBTs (ARCEL, SEMIKRON) les impulsions de commandes inférieures à 1,5 ou 2 µs sont rejetée par le driver. Noter également que la notion de saturation sur un IGBT est très différente sur un MOS.

FAB

"Thierry MARTIRE" a écrit dans le message de news:

42126efd$0$840$ snipped-for-privacy@news.wanadoo.fr...
Reply to
FAB

Je ne connais pas trop le sujet, mais cette discussion m'intéresse, et j'en profite pour poser quelques questions :

- est-ce que l'augmentation de la la valeur du condensateur sur l'entrée desat du HCPL permettrait de filtrer des déclenchements fugitifs ?

- quel est l'intérêt d'utiliser ces schémas de contrôle de désaturation ? est-ce pour augmenter la vitesse de commutation du MOS ? j'ai dans un de mes équipements un variateur 400 V 4kW qui marche du feu de Dieu avec une commande archi-rustique : pas de résistance de grille, pas de suivi de désaturation, mais des IGBT IR "ultrafast" (dont je n'ai pas la référence sous la main, malheureusement).

cosinus

Reply to
cosinus

D'apres "cosinus" , dans le forum fr.sci.electrotechnique...

La puissance dissipée dans le commutateur est le produit de la tension par le courant; si la tension augmente accidentellement, la puissance augmente aussi (d'autant plus si c'est la conséquence d'un courant exagéré) et c'est destructeur.

Reply to
Marc Zirnheld

Dans les systèmes de forte puissance, le dépassement du VCE SAT peut être lié à des défaut du circuit de charge, voir même à des court-circuit. La réaction immédiate à la détection du court-circuit peut sauver les IGBTs. Mais là un nouveau problème apparait : On bloc immédiatement l'IGBT, et le courant étant très fort une surtension apparait et si le découplage de l'alimentation n'est pas assez proche de l'IGBT(Capa polypropilène à 2 ou 3 cm maximum), cette surtension est fatale. Quand il s'agit d'IGBTs de forte puissance (quelques centaines d'ampére en nominal et le KA et plus en crête), il n'est plus possible de découpler suffisament (l'inductance des connexions de l'IGBT lui même lui seront fatale, pour info l'inductance des connexions est souvant donnée dans la doc). Dans ce cas, il existe des drivers qui exécute une coupure lente en cas de détection de VCE sat. La coupure lente évite l'apparition d'une surtension. Le composant supporte plus facilement le choc thermique de la coupure lente que la surtension. Pour info, la surtension induite par les bondings et les broches du composant peut dépasser 100V. Cette tension n'est pas accessible à le mesure puisque développée à l'intérieur du boitier du composant. Il faut donc ajouter cette surtension a celle liée au câblage qui même en prenant des précaution peut rapidement atteindre quelques centaines de volts.

"cosinus" a écrit dans le message de news:

42152882$0$832$ snipped-for-privacy@news.wanadoo.fr...
Reply to
FAB

PolyTech Forum website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.