Hi!
In meinem Skript zur Halbleitertechnik steht unter Durchlaßeigenschaften des Thyristors folgendes:
"Ein günstiges Durchlaßverhalten wird erzielt, wenn KEINE 'Überschwemmung' der Zonen 2 und 3 mit Ladungsträgern erfolgt. In diesem Falle ist das Verhalten des Thyristors vergleichbar mit demjenigen einer pin-Diode in Durchlaßrichtung."
Zonen 2 und drei sind dabei die schwach dotierten Gebiete im Inneren. Wir sind jetzt der Meinung, daß das Wort KEINE ein Tippfehler ist, weil ja gerade durch die Überschwemmung mit Ladungsträgern die Durchlaßspannung verringert wird. Stimmt das?
Gruß, Patrick