Transistor Dotierung

Hallo NG.
Habe mal irgendwann gelesen, dass es Transistoren gäbe, die nur aus drei Atomen für die Übergänge npn bestehen. Normalerweise ist ja bei einem Transistor
jeder Bereich für sich relativ hoch dotiert (Emitter z.B. 10^18 cm^-3). Gibts solche Transistoren evtl. bei Prozessoren ?
Danke.
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Hi Kai,
Kai Müller wrote:

Suchst Du vielleicht das[1] hier?
[1] http://www.heise.de/ct/01/15/018 /
Gruß, Bennet
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Kai Müller wrote:

Definitiv nein, zumindest nicht ein Bipolartransistor, wie du ihn beschreibst. Möglicherweise meinst du die Dicke des Gateoxides bei MOSFETs (siehe Link in anderem Posting). Ansonsten gibt es alle möglichen Entwicklungen, von interessanten Versuchen an Nanoröhrchen, über Ein-Elektron-Transistoren bis zu Molekulartransistoren. Die Funktionsweise unterscheidet sich dabei allerdings grundlegend von den Bipolartransistoren, die du kennst. Zudem ist noch keiner davon irgendwo in der Anwendung und wird auch nicht so schnell dort zu finden sein. Alle Versuche in diese Richtung sind Grundlagenforschung, die aber weit von großtechnischer Realisierbarkeit entfernt ist.
Du erwähnst explizit Prozessoren. Diese arbeiten fast ausschließlich mit MOSFET Transistoren. Aktuelle Prozesse haben Strukturgrößen von 90nm. Das resultiert in einer Gatelänge von je nach Hersteller um die 40-70nm. Die Oxiddicke liegt im Bereich von 2-3nm (ca. 20-30 Atomlagen). Bipolartransistoren kommen in Prozessoren nur für Spezialanwendungen zum Einsatz, meist nicht für den Kern, sondern für Treiberstufen. Wenn sie aber nicht unbedingt benötigt werden, vermeidet man die teuren BiCMOS Kombiprozesse.
Viele Grüße Wolfgang
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