Transistoren

May 07, 2008 7 Replies

Juten Tag, Etechnik-Experten. :-)



Ich sitze hier etwas ratlos vor einigen Meßwerten und Diagrammen. Rühren von einem Laborversuch her aus einer Elektronikgrundlagenvorlesung. Es geht um Bipolartransistor und MOSFET.


"Ermitteln Sie für den Leistungs-MOSFET die Schwellenspannung!"



Ich habe schon einige Kennliniendiagramme erstellt und die sehen den Dingern aus den Lehrbüchern recht ähnlich. :-) Doch woher nehme ich die Schwellenspannung? Ist die nur zu messen, oder gibt es eine einfache Formel?


"Finden Sie rechnerisch Stromverstärkung, Steilheit und Durchlaßwiderstand!"



Wie bekomme ich das aus meinen Excel-Diagrammen? Welche Formeln muß ich überhaupt benutzen; hier steht alles Mögliche aber kein einfacher Term, den ich mit meinen Strommeßwerten und Spannungsmeßwerten füllen könne.


"Treffen Sie Aussagen zu Temperaturabhängigkeiten!"



Ich habe nur Meßwerte für Normaltemperatur. Kann ich davon ableiten, wie die Kennlinien sich bei Tempänderung verhält? Ist da überhaupt eine nennenswerte Veränderung?


Tschau :-)



Hallo, Thomas,

Du (thomas.87) meintest am 07.05.08:

[...]

Die wird aus der Zeichnung ermittelt.

Gar nicht. Mach Dir erst mal eine Zeichnung (oder auch mehrere). Und dann nimmst Du u.a. ein Lineal, um einige Bereiche ein wenig zu linearisieren.

Nein.

Viele Gruesse! Helmut

Hallo Helmut,

: Die wird aus der Zeichnung ermittelt.

Wie?

: Gar nicht. Mach Dir erst mal eine Zeichnung (oder auch mehrere). Und : dann nimmst Du u.a. ein Lineal, um einige Bereiche ein wenig zu : linearisieren.

Wie?

Grüße

Hallo Thomas,

Du hast hoffentlich die Spannung zwischen Gate und Source gemessen und gleichzeitig den Strom oder die Spannung durch den/am Drain. Bei welcher Gate-Source-Spannung fängt der MOSFET an zu leiten? Das ist die Schwellspannung.

Die Stromverstärkung ist das Verhältnis aus dem Eingangsstrom (Basis) zum Ausgangsstrom (Kollektor) beim Bipolartransistor an einem Messpunkt. Diese Verstärkung ändert sich leicht an verschiedenen Messpunkten.

Die Steilheit ist die Abhängigkeit des Drainstromes von der Gate-Source-Spannung beim Leistungs-MOSFET, also dI/dU. Dafür brauchst Du 2 Messpunkte. dI = I2-I1 dU = U2-U1 Auch die Steilheit ist nicht 100%ig konstant.

Es gibt sogar deutliche Veränderungen, wenn Du die nicht gemessen hast, hast, hast Du halt Pech gehabt und musst Dir die Infos anderweitig besorgen. Deine Messwerte geben die nicht her.

Wenn man sich aufs Labor vorbereitet (wofür man meistens zu faul ist), dann weiß man vorher, auf was es ankommt und steht nach dem Labor nicht mit untauglichen Messreihen da.

Wenn meine Ausführungen Dir nicht geholfen haben, dann musst Du die Diagramme mal online stellen, damit wir Dir vielleicht doch noch helfen können.

Michael

Thomas schrieb:

Wikipedia d=FCrfte auch dir behilflich sein. Schau unter Funktion Abschn=FCr- oder pinch-off-Spannung.

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--=20 mfg hdw

Minus 20% Marketingkoeffizient. Sieht besser aus ;-)

Hallo, Thomas,

Du (thomas.87) meintest am 07.05.08:

Das dürfte Stoff der Vorlesung gewesen sein.

Das dürfte Stoff der Vorlesung gewesen sein.

Und manchmal steht so etwas auch in Büchern - das ist kein Thema für eine Newsgroup.

Ach ja - bei Kindergartenkindern akzeptiere ich, dass sie ihren Familiennamen nicht kennen.

Viele Gruesse! Helmut

Helmut Hullen schrieb:

Ohne zusätzliche Definition geht das IMHO nicht. Siehe auch Bipolartransistor. Dort kommt es auch auf die Y-Achse an, nA, uA oder mA, macht jeweils 200 mV Unterschied aus. Und bei logarithmischer Darstellung schwellt gar nix.

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