Hallo,
ich sitze gerade an einer Aufgabe, die wie folgt lautet:
"Gegeben ist ein pnp-Transistor im Normalbetrieb bei T = 300 K mit folgenden Dotierungskonzentrationen: N_A,E = 1018 cm^-3, N_D,B = 1017 cm^-3, N_A,C = 1016 cm^-3. Weiterhin sind gegeben: D_p = 8 cm^2 × s^-1, w_B = 1 mm und die Querschnittsfläche der Basis AB = 0.1 mm^2. Die Rekombination in den Bahngebieten soll vernachlässigt werden.
Berechnen Sie den maximalen Kollektorstrom, für den die Bedingung der schwachen Injektion noch erfüllt ist (d.h. Dichte der Minoritätsladungsträger beträgt maximal 1/10 der Dichte Majoritätsladungsträger)!"
Soweit die Aufgabe. Ich bin mir ziemlich sicher, dass ich mit dieser formel ansetzen muss: I_C = (e*A*D_p*p_B0/wB)*exp(U_EB/U_T)
Es sind ja bis auf die Spannung U_EB alle Werte gegeben bzw. ausrechenbar. Nur habe ich leider keine Ahnung wie ich U_EB berechnen kann. Das da oben sind ja alles Materialkonstanten, wie soll man denn da auf U_EB kommen? Hat vielleicht jemand einen Tipp?
Für I_C soll übrigens 128mA rauskommen.
Vielen Dank & Gruß Denis
-- Luat eienr Stduie der Cambrdige Unievrstiät speilt es kenie Rlloe in welcehr Reiehnfogle die Buhcstbaen in eniem Wrot vorkmomen, die eingzie whctige Sahce ist, dsas der ertse und der lettze Buhcstbae stmimt. Der Rset knan in eienm völilegen Duchrienanedr sein und knan trtozedm prboelmols gelseen wreden. Da farge ich mcih, wuarm desies Tehetar mit der Rehtchsceirunbg...