Bleistift als Halbleiter?

Am 02.04.2013 19:16, schrieb Rudi Horlacher [Paul von Staufen]:


Vakuumröhren die den Abschuß in einer Artilleriegranate überstanden um damit einen

verfügbar, Halbleiterbauelemente waren für die nötigen hohen Spannungen und präzises,

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hdw

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Rudi Horlacher [Paul von Staufen] schrieb:

Ein miniatur-Thyratron mit zusätzlicher andauernd brennender Hilfsentladung, um die Zündzeit zu verkürzen und zu stabilisieren. Eine weitere Vorionisation erfolgt mit Radioisotopen. Daher ist meistens auch ein "Strahlenpropeller" auf dem Gehäuse, was cineastisch was hermacht, da die Dinger ja zur Zündung von Atombomben gebraucht werden. Wurde selbst im sonst nicht so empfindliche schweizer Staatsfernsehen so aufgebauscht. Hat bei uns regelmässig für Heiterkeitsausbrüche gesorgt, alldieweil diese Dinger in Pockelszellentreibern eingesetzt wurden und gelegentlich Ersatz auch einfach so rumlag.
Kombiniere DE und EN-Wiki für einigermassen vernünftige Übersicht. http://en.wikipedia.org/wiki/Krytron http://de.wikipedia.org/wiki/Krytron
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mfg Rolf Bombach

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Nun ja, dazu gehört noch bissl mehr, Transistoren für höhere Frequenzen, stabile Frequenzerzeugung, Beherrschung des Baus von Filtern mit kleinen Abmessungen...
-ras
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Ralph A. Schmid

http://www.schmid.xxx/ http://www.db0fue.de/
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WIE BITTE?
Die Theorie zum Transistor[1] wurde erst um 1948 von Bardeen, Shockley u.a.m. entwickelt. Detektor war ein Fall von "funktioniert, ist unzuverlässig und rätselhaft". Die Fertigungstechnik hat *dann* bis Anfang der 60er Jahre erhebliche qualitative Fortschritte[3] gemacht.
[1] Stichworte: Quantenmechanik, Vielkörperei[2], Fermikante, Aufweichen der F., p-n-junction. [2] Quantenmechanik der Vielkörpersysteme. [3] Ge -> Si, GaAs etc.; Mesa, Epitaxie, Planartransistor, IC
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The first entry of Sin into the mind occurs when, out of cowardice or
conformity or vanity, the Real is replaced by a comforting lie.
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Wolfgang Schelongowski schrieb:

Aus Wikipedia "Feldeffekttransistor": "Entdeckt wurde das Prinzip des Feldeffekttransistors im Jahr 1925 von Julius Lilienfeld. Damals war es aber noch nicht möglich, einen solchen FET auch tatsächlich herzustellen."

Vor der Fertigungstechnik kommt erst mal ein Halbleitermaterial, das sich in ausreichender Menge und Reinheit herstellen und möglichst automatisiert weiterverarbeiten läßt. Die Erzeugung von (halbwegs) stabilen Sperrschichten (durch Dotierung) und deren Kontaktierung war AFAIR erstmals mit Germanium möglich, die zuvor benutzten Materialien (für Detektoren...) ließen nicht einmal das zu.
DoDi
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Hans-Peter Diettrich schrieb:

"Electroni Design" 24(1972)72 meint, Lilienfeld hätte 1930 ein Patent eingereicht für etwas, das man heute als MOSFET bezeichnen würde. Die Idee mit dem Kupfersulfid war nicht schlecht, dürfte aber nicht gehen und es wird bezweifelt, ob Lilienfeld je ein funktionierendes Exemplar herstellen konnte, respektive ob er es je versucht hat. Im "IEEE Spectrum" März(1964)183 meit J.T. Wallmark, Oskar Heil hätte 1934 oder 1935 ein Britisches Patent zu einem MOSFET eingereicht, als Material wurde alles mögliche vorgeschlagen, Tellur, Iod, Kupfer-I-Oxid, Vanadiumpentoxid. 1935 veröffentlichte Heil auch das Prinzip des Klystrons in der Zeitschrift für Physik, was aber weder die Physiker noch die Deutschen interessierte, eventuell zum Glück.
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mfg Rolf Bombach

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Am 02.04.2013 19:20, schrieb Rolf Bombach:

Später dann doch. Denn das im Überlagerer des Berlin Funkmessgerätes sitzende Minimagnetron RD2MD geruhte hin und wieder, ohne Vorankündigung, durch Schwingungsabriß zu glänzen.
Fertig entwickelt war die RD 12 La. Dieses Klystron war ein Heilscher Generator. Wegen der Kreisanordnung benötigte dieses Klystron ein Magnetfeld. Die Entwicklung der RD 12 Lb ist wegen mangelnder Dringlichkeit eingestellt worden. Die Reichspost baut für Störsender (gegen Rotterdam) die LDR P. Das war ein Zweikammerklystron.
Entwicklungen von Klystrons auf deutscher Seite bis 1945:
LDR, 8-11cm, 100 mW, Überlagererklystron, Nachbau des englischen Klystrons
LDX, 3cm, 30mW, Überlagererklystron
LD 20, 3-3,3cm, ähnlich der amerikanischen 723 A/B
LD 27, 8-1cm, 20mW
LD 21, 1,5-1,7cm, 5-10mW
LD 24, 0,8-0,9cm,
LD 25, 6-12cm
LD 26, 3-6cm
LD 27, 8-1cm, 20mW
Leistungsklytrons:
RD 12 La 18-30cm, 10-12W
LDRP, 8,5-10cm, 50W
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mfg hdw


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Am 02.04.2013 19:20, schrieb Rolf Bombach: > "Electroni Design" 24(1972)72 meint, Lilienfeld hätte 1930 > ein Patent eingereicht für etwas, das man heute als MOSFET > bezeichnen würde. Die Idee mit dem Kupfersulfid war nicht > schlecht, dürfte aber nicht gehen und es wird bezweifelt, > ob Lilienfeld je ein funktionierendes Exemplar herstellen > konnte, respektive ob er es je versucht hat.
Es gibt einen Artikel, wo gesagt wird, daß man mit Pyrit einen Oszillator bauen kann.
http://www.sparkbangbuzz.com/els/iposc-el.htm
Es gab mal Webseiten, die Robert Denk gewidmet waren. Robert Denk will kurz nach dem Krieg die ersten Transistorradios gebaut haben.
http://web.archive.org/web/20041205060912/http://home.t-online.de/home/Benduhn/info.htm http://web.archive.org/web/20050217193856/http://home.t-online.de/home/Benduhn/denk.htm
Grüße, Joachim
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Am 07.04.2013 22:09, schrieb Joachim Pimiskern:

http://web.archive.org/web/20041205060912/http://home.t-online.de/home/Benduhn/info.htm

http://web.archive.org/web/20050217193856/http://home.t-online.de/home/Benduhn/denk.htm

Soweit ich das dem Artikel entnehmen kann, hat er den Richtleitereffekt an korrodierten Drähten entdeckt. Dieser Effekt kann Funkamateure verzweifeln lassen, denn an diesen Kontakten kann es zu Kreuzmodulation kommen. Diese breitbandigen Störer zu finden, ist selten einfach. ;-)
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mfg hdw
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Am 27.03.2013 15:47, schrieb Marcel Müller:

Schwingdetektor. Eine Schwingschaltung mit einem damals üblichen Detektor, an der sich viele versuchten und scheiterten.

Ich wünsche viel Vergnügen bei Lektüre folgender Auszüge. Sie erklären einiges, denke ich. ;-)
Zitat: Quelle: radiomuseum
Mervin Kelly erkannte bereits sehr früh die kommerziellen Möglichkeiten, die aus der Entwicklung des Transi- stors resultierten. Er wußte, daß nur durch eine breitgefächerte Fertigung durch viele verschiedene Firmen und die daraus erwachsende Konkurrenz untereinander die Verbreitung des Transistors beschleunigt werden konnte. Aus diesem Grunde boten die Bell Labs Anfang 1952 ihre Patent- rechte frei an. Für eine Anzahlung von 25 000 Dollar, die später mit den Li- zenzzahlungen verrechnet wurden, konnten geeignete Interessenten eine Lizenz zur Fertigung von Transistoren erwerben. Um es ?qualifizierten Inge- nieuren zu ermöglichen, das Equip- ment, die Prozeduren und Methoden zur Fertigung dieser Produkte? herzu- stellen, veranstalteten die Bell Labs da mals ein achttägiges Seminar, wobei an zwei Tagen davon die Transistor- Fabrik von Western Electric in Allen- town/Pennsylvania besichtigt wurde.
Zitat: .o Quelle: radiomuseum
Von Ende Juni bis Ende August 1947 flogen Bardeen und Shockley ge- meinsam auf Geschäftsreise nach England und Zentraleuropa, was da- mals nur mit Tankstops in Neufund- land und Irland möglich war. Europa litt in dieser Zeit noch sehr unter den Folgen des Krieges und es war für die zwei Wissenschaftler oft schwer, Nah- rung und Unterkunft zu finden. In England mußten die beiden sogar für eine Nacht gemeinsam in einem Bett nächtigen. Trotz der widrigen Um- stände konnten die beiden viele wert- volle Anregungen für ihre Arbeit aus England, Frankreich, den Niederlan- den und der Schweiz mitbringen. Auf- grund der besonders schlechten Nach- kriegs-Zustände in Deutschland (und vielleicht war es aus politischen Grün- den auch nicht gestattet...) trafen sich die beiden Amerikaner sehr zu ihrem Bedauern weder mit Walter Schottky noch mit anderen deutschen Kollegen.
http://www.radiomuseum.org/forumdata/users/5100/file/50_Jahre_Transistor.pdf
Zitat: Quelle: wiki
Ab 1942 experimentierte Herbert Mataré bei Telefunken mit der von ihm so genannten Duodiode (Doppelspitzendiode) im Rahmen der Entwicklung eines Detektors für Doppler-Funkmess-Systeme (RADAR). Die von ihm dazu aufgebauten Duodioden waren Punktkontakt-Dioden auf Halbleiterbasis mit zwei sehr nahe beieinander stehenden Metallkontakten auf dem Halbleitersubstrat. Mataré experimentierte dabei mit polykristallinem Silizium (kurz: Polysilizium), das er von Karl Seiler aus dem Telefunken-Labor in Breslau bezog und mit Germanium, das er von einem Forschungsteam der Luftwaffe bei München (in dem auch Heinrich Welker mitwirkte) bezog. Dabei entdeckte er bei den Experimenten mit Germanium Effekte, die sich nicht durch die Betrachtung als zwei unabhängig arbeitende Dioden erklären ließen: Die Spannung an der einen Diode konnte den Strom durch die andere Diode beeinflussen. Diese Beobachtung bildete die Grundidee für die später folgenden Spitzentransistoren.
Der erste funktionierende Bipolartransistor wurde in Form eines Spitzentransistors bei den Bell Laboratories entwickelt und am 23. Dezember 1947 bei einer internen Demonstration erstmals präsentiert.[7][8][9] Zur gleichen Zeit entwickelten die deutschen Forscher Mataré und Welker den ersten funktionsfähigen ?französischen Transistor? in der kleinen, nicht mit Westinghouse Electric verbundenen Firma Compagnie des Freins & Signaux Westinghouse in Aulnay-sous-Bois bei Paris und reichten dafür am 13. August 1948 eine Patentanmeldung ein.[10][11][12] Am 18. Mai 1949 wurde diese europäische Erfindung als ?Transistron? der Öffentlichkeit präsentiert [13].
http://de.wikipedia.org/wiki/Transistor
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mfg hdw


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Horst-D.Winzler schrieb:

Ich kann da noch folgende Seite empfehlen:
http://www.cdvandt.org/index.htm
Z.B sind im Abschnitt "AGR protocols" anhand von Sitzungsptotkollen über 2 Jahre hinweg die Probleme und Fortschritte beim Nachbau eines englischen Radars mit deutschen Bauteilen verfolgbar.
Siegfried
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<http://www.sarganserland-walensee.ch/radio_tv_historisch/radiomann/radiomann0.htm

Ganz einfach, der halbleiter ist weiter nichts als ein Leiter dessen Leitfähigkeit von der Polarität gegenüber der Richtung zum Kristallgitter abhängig ist Da Graphit aus geschichteten Kohlenstoffringen besteht ist diese in der Ebene der Ringe hochohmeig und senkrecht dazu niederohmig, erfüllt also die Eigenschaft eines Halbleiters; wie bei einem Detektorkristall.

Weil man da gefunden hat, dass man ´die genatte Halbleitr eigenschaft auch Steuerbar machen kann Wa sman bein detektor kristall nch nicht wußte.
Dieter Grosch www.grosch.homepage.t-online.de
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"Ralf . K u s m i e r z" wrote:








Weil die Leute die den Transistor entwickelt haben im Krieg damit beschaeftigt waren Detektoren fuers Radar zu entwickeln, und dabei zufaellig den Effekt entdeckt haben mit dem man den (Bipolar) Transistor bauen konnte. Das geschah in den USA und in Europa gleichzeitig.
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